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    Der Durchbruch von UltraRAM könnte endlich RAM und Speicher in einem einzigen Paket verschmelzen
    Vor 12 Tagen und 15 Stunden

    Warum es wichtig ist: Arbeitsspeicher und Massenspeicher haben lange Zeit als separate Teile eines Computergeräts funktioniert. Hersteller haben versucht, die Vorteile von RAM und NAND in einem einzigen Paket zu kombinieren, jedoch nur mit begrenztem Erfolg. Ein neuer Typ von nichtflüchtigem Speicher namens UltraRAM zeigt Potenzial, aber es wird noch eine Weile dauern, bis er in ein kommerzielles

    Die Verschmelzung von Arbeitsspeicher (RAM) und Speicher ist keine neue Idee, aber bisher ist es keinem Unternehmen gelungen, dieses Konzept in ein erfolgreiches, weit verbreitetes kommerzielles Produkt umzusetzen. Dies bedeutet jedoch nicht, dass die Forschung zu diesem Thema kalt geworden ist.

    Anfang dieses Monats veröffentlichten Forscher des Physik- und Ingenieurwesens der Universität Lancaster im Vereinigten Königreich ein Papier, in dem wichtige Fortschritte beschrieben wurden, die bei der UltraRAM näher an der Massenproduktion.

    UltraRAM wird als eine Speichertechnologie beschrieben, die „die Nichtflüchtigkeit eines Datenspeichers wie Flash mit der Geschwindigkeit, Energieeffizienz und Ausdauer eines Arbeitsspeichers kombiniert , wie DRAM.“ Wenn Ihnen das bekannt vorkommt, liegt es daran, dass Intel mit Optane bereits versucht hat, die Lücke zwischen DRAM und Flash-Speicher zu schließen, wenn auch mit begrenztem Erfolg. Samsung hat etwas namens Z-NAND und Kioxia und Western Digital wollen XL-FLASH auch in zukünftige Consumer- und Enterprise-Speicherlösungen integrieren.

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    Die Materialien, die zur Herstellung von UltraRAM verwendet werden, sind die gleichen Verbindungshalbleiter, die in optoelektronischen Geräten wie LEDs verwendet werden , Laser, Fotodioden und Fototransistoren. Der neueste Durchbruch der dahinterstehenden Wissenschaftler war die Verbesserung der Leistung beim Aufbau auf Siliziumsubstraten im Gegensatz zu Galliumarsenid-Wafern, die bis zu 1.000 Mal teurer sein können.

    Das bedeutet, dass UltraRAM das Potenzial hat, eine kostengünstige Speicherlösung sein. Die Wissenschaftler behaupten, dass die von ihnen getesteten Prototypgeräte eine Datenspeicherung von 1.000 Jahren und eine „abnutzungsfreie Lebensdauer“ von mehr als 10 Millionen Programmier-/Löschzyklen bieten können. Allein die letzte Zahl dürfte das Interesse von Technologieunternehmen wecken, besonders wenn es wirklich so schnell sein kann wie herkömmlicher RAM.

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    Ein weiterer Vorteil dieser neuen Technologie besteht darin, dass sie den quantenmechanischen Effekt des resonanten Tunnelns nutzt, um lassen eine Barriere von opak auf transparent umschalten, wenn Spannung angelegt wird. Dieser Prozess ist im Vergleich zu Umschalttechnologien, die in RAM und Flash-Speicher verwendet werden, sehr energieeffizient, so dass er zu besseren Mobilgeräten führen könnte, die im Akkubetrieb länger halten.

    Der gleiche Prozess ermöglicht ein sehr kompaktes Architektur mit hoher Bitdichte, die es den Herstellern theoretisch ermöglichen sollte, mehr Speicherkapazität in einen einzigen Chip zu stopfen. Die Forscher der Lancaster University sagten, dass sie den Herstellungsprozess der Speicherzellen weiter verbessern müssen, aber dies ist nichtsdestotrotz eine interessante Technologie mit viel Potenzial für In-Memory-Computing, da sie das Hin- und Herwechseln von Daten zwischendurch überflüssig machen würde Prozessor, Arbeitsspeicher und nichtflüchtiger Speicher eines Geräts.





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